消息指三星电子 2nm 工艺 EUV 曝光层数增加 30% 以上，未来 SF1.4 节点有望超 30 层

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本站 7 月 23 日消息，韩媒 The Elec 本月 17 日报道称，三星电子预计于明年推出的 2nm 先进制程将较现有 3nm 工艺增加 30% 以上的 EUV 曝光层数，达“20~30 的中后半段”。韩媒在报道中提到，根据产品性质的不同，即使同一节点曝光层数量也并非完全固定。不过总体来说，三星电子 3nm 工艺的平均 EUV 曝光层数量仅为 20 层；而在预计于 2027 年量产的 SF1.4 制程中，EUV 曝光层的数量有望超越 30 层。

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