三星HBM4明年2月发布，将迎战SK海力士

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12 月 1 日消息，据韩国媒体 The Elec 在上周（11 月 27 日）报道，三星电子将在明年 2 月举办的国际固态电路会议（ISSCC）上发布其 HBM4 技术。

消息称，三星此次计划展示的 HBM4 拥有 36GB 容量和高达 3.3TB/s 的带宽，相较此前展出的 36GB、2.4TB/s 版本，在传输速率方面实现显著提升。该进展得益于堆叠结构优化以及接口的重新设计，从而在速度与能效表现上均获得增强。

业内人士指出：“三星在每个通道中引入了针对硅通孔（TSV）路径的 TDQS 自动校准技术，有效提升了高速运行下的信号完整性，特别针对 AI 大模型等高数据吞吐需求的应用场景进行了专项优化。”

值得关注的是，三星的竞争对手 SK 海力士也计划于明年 2 月揭晓其下一代存储解决方案。届时或将展示单 Pin 速率高达 14.4Gb/s 的 LPDDR6 内存，采用基于低压差稳压器（LDO）的 WCK 时钟分配架构，可在超高频率下维持信号稳定性，性能较前代 LPDDR5X 显著提升。

同时，SK 海力士还将公开 GDDR7 显存的技术细节，其单 Pin 速率最高可达 48Gb/s，容量为 24Gb。该产品最大的亮点在于支持通道分割技术，可实现读写操作并行处理，主要面向 GPU 计算、AI 边缘推理及高分辨率游戏等高性能应用领域。

作为参考，ISSCC 2026 将于明年 2 月 15 日至 2 月 19 日在美国旧金山举行。由于参会者以企业研发人员为主，预计将有多项接近量产状态的前沿技术在此大会上首次公开亮相。

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