SK海力士238层4D NAND闪存量产,手机测试速度提升50%
来源:ITBear科技资讯
时间:2023-07-04 07:59:32 138浏览 收藏
在科技周边实战开发的过程中,我们经常会遇到一些这样那样的问题,然后要卡好半天,等问题解决了才发现原来一些细节知识点还是没有掌握好。今天golang学习网就整理分享《SK海力士238层4D NAND闪存量产,手机测试速度提升50%》,聊聊,希望可以帮助到正在努力赚钱的你。
6月8日消息,韩国存储器制造商SK海力士(SK Hynix)在今天宣布,他们已经开始量产238层的4D NAND闪存芯片。据悉,SK海力士正在与海外智能手机制造商进行产品验证。
SK海力士表示,他们已经成功开发了适用于智能手机和个人电脑(PC)的客户端SSD(Client SSD)解决方案,并于5月份开始进行量产。无论是在176层还是238层产品中,SK海力士都确保了成本、性能和品质方面的世界领先竞争力。据小编了解,238层NAND闪存芯片是目前世界上体积最小的芯片之一,相比上一代的176层芯片,其生产效率提高了34%。这款新产品的数据传输速度达到每秒2.4Gb(千兆比特),比上一代快50%,读写性能也提升了约20%。
SK海力士表示,在完成与智能手机制造商的产品验证后,他们将首先向移动设备市场供应238层NAND闪存芯片,随后扩大应用范围,包括基于PCIe 5.0的个人电脑固态硬盘(SSD)和数据中心级高容量固态硬盘产品。
SK海力士在2018年引入了4D技术,其中96层NAND闪存采用了电荷捕获型技术(CTF)和PUC(Peri. Under Cell)技术。据小编了解,与3D技术相比,4D架构具有更小的单元面积和更高的生产效率优势。SK海力士期待这些新产品在下半年对公司业绩起到积极推动作用。
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