信越化学 12 英寸氮化镓外延生长 QST 衬底出样，有助于降低 GaN 产品成本

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本站 9 月 10 日消息，日本信越化学当地时间本月 3 日宣布成功开发出用于氮化镓 GaN 外延生长的 300mm（本站注：一般也称 12 英寸）的 QST 衬底，并已从近期开始向客户供应相关样品。相较于以 12 英寸晶圆为主流的硅半导体，氮化镓生产目前仍集中在 6 英寸与 8 英寸上，这其中部分是因为氮化镓和硅热存在热膨胀系数差异，大尺寸硅基衬底容易导致在其上生长的氮化镓外延层出现翘曲与开裂。信越化学的 QST 衬底技术源自美国企业 Qromis 的专利授权，这一复合材料具有同氮化镓更为接近的热膨胀系数，减少了大尺寸衬底上氮化镓外延层出现缺陷的风险，更适宜大厚度、高电压氮化镓器件的制造。

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