芯联集成“半导体器件及其制备方法”专利公布
来源:laoyaoba
时间:2024-10-30 20:27:52 469浏览 收藏
在IT行业这个发展更新速度很快的行业,只有不停止的学习,才不会被行业所淘汰。如果你是科技周边学习者,那么本文《芯联集成“半导体器件及其制备方法”专利公布》就很适合你!本篇内容主要包括##content_title##,希望对大家的知识积累有所帮助,助力实战开发!
天眼查显示,芯联集成电路制造股份有限公司“半导体器件及其制备方法”专利公布,申请公布日为2024年9月24日,申请公布号为CN118692929A。
本申请公开了一种半导体器件及其制备方法,其制备方法如下:
- 提供第一晶圆,并在其第一键合面上形成第一金属密封环,该密封环外侧间隔设置至少三个第一凹槽。
- 提供第二晶圆,并在其第二键合面上形成与第一金属密封环形状匹配的第二金属密封环,该密封环外侧间隔设置至少三个第二凹槽。
- 使用隔片间隔第一晶圆和第二晶圆,并使用固定件固定晶圆。
- 将第一晶圆、第二晶圆、固定件和隔片整体放入键合腔室,并控制腔室达到预设真空度和气体氛围。
- 对第一金属密封环和第二金属密封环预热。
- 移去隔片,键合第一金属密封环和第二金属密封环。
采用本申请的技术方案,可以实现更佳的键合效果。
理论要掌握,实操不能落!以上关于《芯联集成“半导体器件及其制备方法”专利公布》的详细介绍,大家都掌握了吧!如果想要继续提升自己的能力,那么就来关注golang学习网公众号吧!
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