北方华创“半导体工艺腔室及其控制方法”专利公布

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北京北方华创微电子装备有限公司近日公布一项名为“半导体工艺腔室及其控制方法”的新专利，申请公布日为2024年10月29日，申请公布号为CN118866735A。

这项专利技术属于半导体工艺技术领域，其核心在于一种新型的半导体工艺腔室设计及控制方法。该腔室包含腔室本体、第一抽气组件和气体净化组件，并分别通过第一和第二通气孔连接。 巧妙的设计使得第一通气孔能够通过抽气组件和气体净化组件与第二通气孔连通。 此方案的优势在于有效解决了刻蚀工艺中卤素气体腐蚀气路管道的问题，提升了工艺的可靠性和安全性。

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