捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布

从现在开始，努力学习吧！本文《捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布》主要讲解了等等相关知识点，我会在golang学习网中持续更新相关的系列文章，欢迎大家关注并积极留言建议。下面就先一起来看一下本篇正文内容吧，希望能帮到你！

江苏捷捷微电子股份有限公司近日公布一项名为“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”的专利（申请公布号：CN118969825A），申请公布日为2024年11月15日。

该专利属于半导体技术领域，尤其关注IGBT器件的结构和制备工艺。其核心在于一种创新的纵向变掺杂IGBT结构，该结构包含：第一导电类型的半导体衬底；衬底正面设置的元胞区；以及衬底背面与集电极结构之间的过渡区。 过渡区由电场缓变层和场截止层构成，其中电场缓变层为第一导电类型的变掺杂层，场截止层为第一导电类型的重掺杂层，集电极结构则位于场截止层背面。 这种设计旨在有效避免因后续电场抬高而导致的器件失效问题。

以上就是《捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布》的详细内容，更多关于捷捷微电的资料请关注golang学习网公众号！