华虹宏力“Nord闪存及Nord闪存电性参数的测试方法”专利公布

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上海华虹宏力半导体制造有限公司近日公布一项名为“Nord闪存及Nord闪存电性参数的测试方法”的新专利（申请公布号：CN118973262A，申请公布日：2024年11月15日）。

该专利技术提出了一种创新的Nord闪存电性参数测试方法。该方法涉及一个包含器件区、连接区和外围区的衬底结构。器件区用于形成存储结构，连接区用于连接控制栅层，外围区则用于形成外围电路。 浮栅层、层间介质层和控制栅层等关键结构层叠于衬底之上，并通过字线进行连接。字线与其他结构层之间通过隧穿氧化层和氮化物侧墙隔离。 值得注意的是，外围区的层间介质层会部分暴露浮栅层表面。通过对字线和控制栅施加特定电压，可以测试浮栅层电压，进而精确测量控制栅层与浮栅层、字线与浮栅层之间的耦合系数，并同时监控层间介质层的质量。

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