华虹宏力“降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法”专利公布

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上海华虹宏力半导体制造有限公司近日公布一项名为“降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法”的专利（申请公布号：CN118957544A，申请公布日：2024年11月15日）。

该专利技术旨在降低PECVD薄膜在等离子体处理过程中的损伤。其方法包括：将衬底置于增强型等离子体化学气相淀积（PECVD）反应腔体中，利用PECVD方法在衬底上形成薄膜；然后，向反应腔体通入O2和He气体，利用射频源将其电离成等离子体，对PECVD薄膜表面进行处理，最终使薄膜表面电压标准方差（Vs stdev）达到预设值；最后，去除反应腔体内的工艺气体。 实验结果表明，此方法显著降低了PECVD薄膜的等离子体损伤，有效改善了薄膜的表面特性。

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