比亚迪半导体“功率器件及其制备方法”专利公布

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比亚迪半导体再获专利！新型功率器件及其制备方法公布

比亚迪半导体股份有限公司近日公布一项名为“功率器件及其制备方法”的新专利（申请公布号：CN119230590A），申请公布日为2024年12月31日。天眼查信息显示，该专利技术在保障器件防击穿性能的同时，简化了制备工艺，降低了生产成本。

该专利涉及一种新型功率器件，其结构包括：衬底；设置于衬底上的第一导电类型外延层，外延层上包含有源区和位于其外围的终端区；设置于终端区（靠近有源区位置）的第二导电类型第一注入区，该注入区包含主结；以及一个第一防击穿结构，该结构由分压深凹槽和场氧化层构成。分压深凹槽位于主结外的终端区内，其槽深大于主结结深；场氧化层填充分压深凹槽并延伸至分压保护区外，覆盖分压深凹槽表面。 这种设计有效提升了功率器件的防击穿能力。

这项专利技术的创新之处在于其简化的制备工艺和较低的成本优势，这将有助于比亚迪半导体进一步提升其功率器件的市场竞争力。

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