【发展】3D NAND深孔蚀刻速度提升一倍,推动高密度储存发展
时间:2025-02-05 12:51:56 241浏览 收藏
大家好,今天本人给大家带来文章《【发展】3D NAND深孔蚀刻速度提升一倍,推动高密度储存发展》,文中内容主要涉及到,如果你对科技周边方面的知识点感兴趣,那就请各位朋友继续看下去吧~希望能真正帮到你们,谢谢!
韩国经济数据向好,AI前景广阔,3D NAND技术取得突破性进展!
1. 韩国工业生产强劲增长: 韩国统计厅数据显示,2024年韩国工业生产指数同比增长1.7%,达到113.6 (2020年为100),主要得益于半导体出口的回暖。规模以上工业生产增幅更是达到4.1%。 然而,服务业增速放缓至1.4%,零售销售则同比下降2.2%,创下2003年以来最大降幅。 设备投资增长4.1%,而竣工产值则下降4.9%。
2. DeepSeek引领AI发展热潮: DeepSeek的出现引发市场关注,摩根士丹利和里昂证券等机构均对AI前景持乐观态度。摩根士丹利亚洲科技团队认为中国大陆AI产业将迅速发展,里昂证券则指出大型语言模型的竞争仍在继续,成本效率的提升将推动更智能模型的训练。 值得一提的是,尽管摩根士丹利分析师下调了英伟达的目标价,但仍维持“优于大盘”评级,并看好英伟达AI产品的市场需求。
3. 3D NAND蚀刻技术实现重大突破: 泛林半导体等研究团队成功将3D NAND深孔蚀刻速度提升了一倍以上,这标志着高密度存储技术取得了重大进展。通过优化等离子蚀刻工艺,蚀刻速率显著提升,同时蚀刻精度也得到改善。 这项突破有望推动更高容量、更高性能的存储设备的研发,满足人工智能、物联网等领域对数据存储日益增长的需求。 未来,该技术将进一步促进3D NAND的广泛应用,并为电子设备发展提供强有力的支撑。
文中关于NAND的知识介绍,希望对你的学习有所帮助!若是受益匪浅,那就动动鼠标收藏这篇《【发展】3D NAND深孔蚀刻速度提升一倍,推动高密度储存发展》文章吧,也可关注golang学习网公众号了解相关技术文章。
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