华虹宏力“SONOS存储器件及其制备方法”专利公布

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上海华虹宏力半导体制造有限公司近日公布一项名为“SONOS存储器件及其制备方法”的专利（申请公布号：CN119212394A，申请公布日：2024年12月27日）。

该专利技术旨在提升SONOS存储器件的存储密度和单元均一性。其核心方法包括：在基底上依次形成电荷存储层、多晶硅栅材料层和硬掩膜层；利用自对准刻蚀工艺形成两个分立的氧化层，并去除氧化层暴露出的多晶硅栅材料层，从而形成两个独立的多晶硅栅极；再通过形成侧墙隔离栅极，并覆盖栅极侧壁，最终进行源漏重掺杂离子注入。 此工艺省去了传统设计中两个存储管共用的源端及相关侧墙，直接利用隔离侧墙隔离存储管，有效缩小了存储单元面积，并由于采用自对准工艺，保证了存储单元的高一致性和均一性。

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