新微半导体“垂直腔面发射激光器的外延结构及其校验方法”专利公布

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上海新微半导体有限公司近日公布一项关于垂直腔面发射激光器外延结构及其校验方法的专利（申请公布号：CN119209203A，申请公布日：2024年12月27日）。

该专利提出一种改进的垂直腔面发射激光器外延结构及校验方法。其核心在于使用铝摩尔分数大于60%的AlGaAs材料作为缓冲层，并在外延生长过程中对AlGaAs缓冲层进行原位监测。 这种方法有效减少了试生产次数，显著提高了外延校验效率。 此外，专利还提出在外延工艺腔室内壁沉积同样铝摩尔分数大于60%的AlGaAs材料作为内壁保护层，以减少甚至避免杂质颗粒污染外延膜层，并简化了生产流程，进一步提升效率。 通过这项技术创新，可以有效提升垂直腔面发射激光器的生产效率和产品质量。

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