奕斯伟晶圆外延生长基座装置专利震撼发布

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近日发布一项关于“用于晶圆外延生长的基座和装置”的专利（CN119530959A），该专利技术致力于提升半导体晶圆外延生长工艺精度。专利设计了一种新型圆盘形基座，通过独特的N个第一扇形区和N个第二扇形区设计，有效控制基座与晶圆温差，从而调节晶圆生长速率，最终实现晶圆厚度更均匀，显著提升Nano级产品品质。这项创新技术将为半导体产业的高精度晶圆制造提供有力支撑，推动行业技术进步。

西安奕斯伟材料科技股份有限公司近日公布一项名为“用于晶圆外延生长的基座和装置”的新专利（申请公布号：CN119530959A，申请公布日：2025年2月28日）。

该专利涉及半导体技术领域，旨在提升晶圆外延生长工艺的精度。专利描述了一种新型基座，其圆盘形承载结构由N个第一扇形区和N个第二扇形区构成，其中第一扇形区边缘区域厚度大于内部区域厚度，而第二扇形区厚度均匀。这种设计能够有效控制基座与晶圆之间不同区域的温差，从而调节晶圆生长速率，最终实现晶圆厚度更均匀，显著提升Nano品质。

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