ASML联手蔡司研发5nm超NA光刻机

**ASML联手蔡司启动5nm Hyper NA光刻机研发，推动半导体技术革新！** 最新消息显示，光刻机巨头ASML与光学组件合作伙伴蔡司已正式启动针对5nm分辨率的Hyper NA光刻机研发项目。此举旨在突破现有8nm分辨率的限制，进一步提升光刻精度，减少曝光步骤，助力先进制程厂商。ASML技术高管透露，Hyper NA光刻机的目标是将数值孔径提升至0.7或更高，预计该技术将支撑半导体产业发展至2035年甚至更远。虽然大规模应用尚需时日，但ASML的这一举动无疑为未来的芯片制造带来了新的希望，也预示着半导体行业将迎来更精密的制造时代。

6 月 27 日消息，ASML 技术高级副总裁 Jos Benschop 在接受《日经亚洲》采访时透露，公司已与光学组件独家合作伙伴蔡司共同启动了面向 5nm 分辨率的 Hyper NA 光刻机研发工作。

目前使用的 TWINSCAN EXE:5000 光刻系统搭载 High NA（0.55NA）光学系统，分辨率为 8nm。更高的分辨率将有助于先进制程厂商减少曝光步骤，并提升光刻图案的精度。

Jos Benschop 表示，ASML 尚未为 Hyper NA 光刻设备设定明确的发布时间，但该项目的目标是进一步将 NA（数值孔径）提升至 0.7 或更高水平；实现 5nm 分辨率意味着 Hyper NA 系统将能支撑到 2035 年甚至更远的产业发展需求。

针对当前刚刚开始部署的 High NA 图案化设备，这位 ASML 高管指出，其大规模应用仍需时日，因为整个行业需要时间进行测试、验证并构建相应的生态系统；0.55NA 的光刻设备预计能够满足本十年内直至三十年代初期的产业需求。

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