捷捷微电“一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法”专利公布

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江苏捷捷微电子股份有限公司近日公布一项名为“一种SiC基RC-IGBT的结构及其制备方法”的新专利，申请公布号为CN118969829A，申请公布日为2024年11月15日。

该专利属于半导体技术领域，特别是一种SiC基RC-IGBT的结构及其制造工艺。其核心在于采用SiC材料制备半导体衬底，并在衬底正面构建元胞结构，背面形成集电极结构。这种设计显著降低了RC-IGBT内置二极管的正向压降(Vf)，并缩短了反向恢复时间。

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