北方华创“形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置”专利公布

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北方华创微电子装备有限公司一项关于晶片制造的新专利——“形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置”——已于2024年8月26日公开，申请公布号为CN119132945A。

该专利公开了一种改进的晶片处理方法和装置。 其核心在于使用一个带有倾斜晶片槽的晶片承载装置。 将晶片放置在该装置中后放入工艺腔室，晶片处于倾斜状态，保证沟槽的一侧侧壁最大程度地接触刻蚀气体。 通过两次刻蚀，每次旋转晶片改变沟槽朝向，从而有效去除沟槽两侧壁上的副产物。 这种方法显著降低了沟槽侧壁粗糙度，并减弱了沟槽底部微凹槽缺陷，提升了晶片制造精度。

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