华虹宏力“沟槽栅的制造方法”专利获授权

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上海华虹宏力半导体制造有限公司近日获得一项关于“沟槽栅制造方法”的专利授权（授权公告号：CN114220734B，授权公告日：2024年12月10日，申请日：2021年12月13日），天眼查信息显示。

该专利技术公开了一种改进的沟槽栅制造方法，具体步骤如下：首先，在半导体衬底表面刻蚀形成沟槽；然后，形成第一氧化层，确保沟槽顶部开口；接下来，沉积第二介质层，封闭沟槽顶部开口并在沟槽内形成一个被第二介质层包围的空腔；随后，对第二介质层进行第一次刻蚀，去除空腔外露部分，同时保留空腔顶部封口处的第二介质层；然后，以空腔周侧的第二介质层为掩膜，对第一氧化层进行第二次刻蚀，形成栅极底部氧化层；之后，去除第二介质层；最后，生长栅氧化层。此方法简化了BTO的形成工艺，有效降低了生产成本。

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