精测半导体“一种薄膜参数的测量方法”专利公布

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上海精测半导体技术有限公司近日公布一项名为“一种薄膜参数的测量方法”的专利（申请公布号：CN119044075A，申请公布日：2024年11月29日）。

该专利提出一种改进的薄膜参数测量方法。该方法首先构建薄膜模型函数并获取其测量光谱，利用模型函数拟合测量光谱。然后，确定模型函数中灵敏度最低和/或最高的待测参数作为目标参数，并计算其灵敏度修正项。将目标参数替换为灵敏度修正项，得到改进后的模型函数。最后，基于测量光谱和改进模型函数，运用非线性回归方法确定待测参数的测量值。 此方法通过迭代求解，有效避免跳过参数最优解，从而提高测量精度。

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