聚能创芯“一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法”专利公布

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青岛聚能创芯微电子有限公司近日公布一项名为“一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法”的新专利（申请公布号：CN119133169A，申请公布日：2024年12月13日）。

该专利技术应用于驱动集成电路封装领域。其核心在于一种创新的封装结构，该结构包含高电子迁移率晶体管和位于其一侧表面的多个三极管。 高电子迁移率晶体管的栅极靠近三极管一侧，而三极管的发射极则靠近高电子迁移率晶体管，并与栅极导电连接。其余电极均与相应的引脚导电连接。 这种设计巧妙地将三极管集成到高电子迁移率晶体管的封装中，在减小器件电路板占用面积的同时，有效降低了线路寄生电感。

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