华虹宏力“肖特基集成的超级结器件及其制造方法”专利获授权

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上海华虹宏力半导体制造有限公司近日公布一项名为“肖特基集成的超级结器件及其制造方法”的新专利（申请公布号：CN119133216A，申请公布日：2024年8月22日）。

该专利涉及一种新型肖特基集成的超级结器件。其结构包括：衬底、N型外延层（形成于衬底上）、P型柱（形成于外延层上）、交替排列的超级结MOSFET形成区域（位于P型柱之间）。 超级结MOSFET采用分栅结构，栅极之间留有空白空间作为肖特基接触区。 此外，还包括阱区（形成于沟槽栅结构和P型柱之间的外延层上）、阱接触区、源区、肖特基金属层。肖特基二极管的阳极位于肖特基接触区的肖特基金属层上，阴极则与衬底背面的超级结MOSFET漏极共用。

这项技术的优势在于无需额外注入即可形成肖特基结构，有效避免了辐照工艺带来的负面影响。

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