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美光G9NAND重磅发布,旗舰手机性能再攀高峰

时间:2025-05-24 20:37:28 150浏览 收藏

在2025年巴塞罗那世界移动通信大会上,美光科技发布了基于G9 NAND的移动UFS 4.1和UFS 3.1产品样品。G9 NAND是美光的新一代NAND技术,旨在提升存储解决方案的性能和密度。G9 NAND UFS 4.1为旗舰智能手机提供业界领先的性能,支持高达1TB的存储容量,速度超过4100MBps,显著提升了智能手机的使用体验。此外,G9 NAND UFS 4.1还具备数据碎片整理、增强型WriteBooster、智能延迟跟踪器和UFS分区等专有功能,进一步优化了设备的性能和效率。

本文作者:Rui Zhou,移动业务部门产品市场高级经理

在当今快节奏的生活中,手机已不再是简单的通讯工具,随着人工智能技术的不断进步,智能手机正逐渐成为人们的AI助手。这一趋势背后的支撑,正是大容量高速存储系统!这种需求将进一步推动边缘设备对内存和存储的渴求。

在2025年巴塞罗那世界移动通信大会(MWC25)上,美光科技展示了其最新成果:宣布开始提供基于G9 NAND的移动UFS 4.1和UFS 3.1产品的样品。

G9节点是美光的新一代创新型NAND技术,旨在为其所有存储解决方案带来前所未有的性能和密度优势。那么,G9对新一代移动通用闪存(UFS)移动产品有多强?让我们一探究竟!

G9 NAND UFS 4.1:性能直接拉满

美光G9 NAND移动UFS 4.1解决方案能够为旗舰智能手机提供业界领先的性能和创新,实现更快速、更灵敏的使用体验。

速度更快、延迟更低:

试想一下,手机中的虚拟助手能够迅速理解您的指令,您还可以使用手机进行实时图片编辑,并在瞬间完成语言翻译。这些都是基于大语言模型(LLM)的未来AI应用,它们将彻底改变智能手机用户的数字体验。

最终,这些服务将融合成功能强大的多模态AI代理,为用户提供快速、全面且具备情境感知能力的数字体验。为了实现这一目标,智能手机需要快速访问海量数据集、降低延迟、提高响应速度,从而提供更流畅的终端用户体验。

凭借超过4100MBps的顺序读写速度,美光G9 NAND移动UFS 4.1正在引领这一变革趋势。与上一代G8 UFS 4.0相比,G9 UFS 4.1的性能提升显著。

美光G9 NAND技术重磅发布!旗舰手机性能再攀巅峰

512GB G9 UFS 4.1与512GB G8 UFS 4.0对比

容量更大:

更大的存储容量是提升本地计算和处理能力的重要因素。传统的云端AI系统需要通过网络传输敏感数据进行处理,存在数据泄露的风险。边缘AI可以在本地处理生成的数据,从根本上降低了上述风险。

美光G9 UFS 4.1支持高达1TB的NAND大容量存储,能够满足设备端处理大量数据的需求,使您的智能手机轻松应对复杂的计算任务。

封装更小更薄:

美光G9 NAND UFS 4.1不仅提升了容量,其更小更薄的外形还支持更时尚的创新智能手机设计。

美光G9 NAND UFS 4.1采用业界领先的封装技术,1TB NAND UFS的封装尺寸仅为9x13x0.85毫米(与上一代G8 UFS 4.0相比),可大幅节省手机内部空间,是下一代可折叠和超薄智能手机设计的理想选择,其节省的空间可用于搭载更大容量的电池。

专有功能优化:

1. 数据碎片整理:

智能手机运行速度逐渐变慢,通常是由于数据碎片化——文件分散存储在各个地方,导致存储设备难以实现高效读取。

美光的专有数据碎片整理功能可以解决这一问题,它支持UFS设备的控制器绕过主机层,直接在NAND内部发出碎片整理命令。通过简化数据迁移过程,数据碎片整理功能可将读取速度提升高达60%(启用数据碎片整理与未启用数据碎片整理的对比),从而提升智能手机的整体性能,包括日常任务和AI相关任务。

简言之,数据碎片整理功能通过在内部处理数据迁移/碎片整理,提高读取性能并降低设备的负荷,使智能手机能够更快、更高效地访问文件,实现更流畅的使用体验。

美光G9 NAND技术重磅发布!旗舰手机性能再攀巅峰

2. 增强型WriteBooster:

借助美光的增强型WriteBooster功能,智能手机处理器可以将常用数据“固定”在存储设备内部的“WriteBooster”指定区域内。

利用该功能,处理器可以更轻松地将重要数据从存储设备动态加载到内存,确保处理过程更加高效,不会面临内存容量不足的问题。

内部测试数据表明,启用此功能后,随机读取速度可提高多达30%(启用增强型WriteBooster与未启用增强型WriteBooster的对比)。

增强型WriteBooster功能可加速智能手机的应用启动速度、文件传输速度,让用户操作更加流畅。当用户需要同时使用日常应用和AI应用时,此功能尤为有用。

在这种使用场景下,可利用增强型WriteBooster功能为AI模型的数据创建内存映射,从而实现更快的数据交换和读取。

美光G9 NAND技术重磅发布!旗舰手机性能再攀巅峰

未固定的数据将从缓存缓冲区移至普通存储区域

3. 智能延迟跟踪器(ILT):

美光的智能延迟跟踪器可以监控系统和存储设备上的I/O存储延迟,以检测和分析影响智能手机性能的异常延迟,例如应用启动缓慢等。通过识别这些延迟问题,跟踪器可帮助智能手机OEM厂商优化系统,提升整体用户体验。

此功能可确保智能手机能够高速流畅地运行各种AI应用和日常任务,例如打开相机、在相册中查找之前度假时拍摄的照片等。

4. UFS分区(ZUFS):

想象一下,当您在旅行前收拾行李时,您的行李箱被整齐地划分为三个部分,分别用于放置袜子、衬衫和裤子,通过这种方式,您可以更快地找到所需物品。

美光的UFS分区(ZUFS)功能以类似方式组织智能手机内的数据。ZUFS将具有相似I/O特性的数据集中存放到UFS设备内的特定区域中,能够尽可能减少数据搜索时间,从而提高读/写效率。

这种简化的数据检索方式可确保系统响应更快、更流畅,就像在行李箱中取出预先放好的袜子一样。

美光G9 NAND技术重磅发布!旗舰手机性能再攀巅峰

传统数据放置方式与分区数据放置方式的对比

智能加速:面向未来的创新

美光移动业务部门致力于提供先进的NAND闪存解决方案,并为旗舰智能手机设计提供定制功能。

这些创新旨在加速边缘设备上的AI应用。通过与客户及生态系统伙伴合作,美光正在调整其产品和技术路线图,以便与AI及边缘计算的未来趋势保持一致。

这种合作可确保未来的移动设备能够处理日益复杂的AI任务,以及数据密集型应用。G9 NAND以及众多新的固件功能正是美光致力于创新的例证。

理论要掌握,实操不能落!以上关于《美光G9NAND重磅发布,旗舰手机性能再攀高峰》的详细介绍,大家都掌握了吧!如果想要继续提升自己的能力,那么就来关注golang学习网公众号吧!

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