中欣晶圆发布硅片边缘金属改善专利

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天眼查数据显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近日公开了名为“改善硅片边缘金属的方法”的专利信息，该专利的申请公布日期为2025年3月14日，申请号为CN119608644A。

本发明提供了一种用于改善硅片边缘金属状况的方法，属于硅片加工技术领域。具体包括以下步骤：第一步：使用纯水对二手片盒进行喷淋清洗，持续时间为5分钟，纯水流量为25Lpm。第二步：将二手片盒置于含有盐酸的纯水浸泡槽中，浸泡时长为30分钟。第三步：再次使用纯水对二手片盒进行喷淋清洗，时间延长至10分钟，同时提高纯水流量至40Lpm。第四步：对清洗后的二手片盒进行旋转甩干处理，转速设定为300Rpm，持续时间为10分钟。第五步：将甩干后的片盒放入密闭烘箱中进行烘干，干燥温度控制在62～65℃之间，烘干时间为30分钟。第六步：将干净的硅片放入经上述处理后的二手片盒中，并检测硅片边缘的金属含量。此方法解决了传统片盒清洗设备无法彻底清洁二手片盒的问题。通过向清洗槽内加入浓度为0.4%的稀释盐酸，有效降低了Al、Fe等金属元素的污染水平，从而显著提升了二手片盒的洁净度，并进一步改善了硅片边缘的金属状况。

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