三星预测2030年将推出1000层以上的NAND技术

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6月30日消息，据韩媒The Elec报道，三星存储业务高管最近参加了电子工程师协会2023年夏季会议，并向与会者透露了关于三星V-NAND技术的最新进展。据三星高管表示，他们计划在2030年前将V-NAND技术叠加到超过1000层。

自2013年三星首次推出24层V-NAND技术以来，经过十年的发展，三星已经成功将该技术拓展到200多层。三星的成就使得韩国在技术创新和生态系统方面取得了重要进展，并且对NAND技术的发展产生了持续影响。

三星高管指出，竞争在实现超过1000层的V-NAND技术目标时将持续存在，并强调了所面临的挑战。建造摩天大楼时必须考虑坍塌、弯曲和断裂等因素，他们也将面临相同的稳定性问题。除此之外，还需要解决一些问题，包括连接孔加工工艺、减少电池干扰、缩短层间距、提高每层存储容量。

在会议上，三星存储业务高管强调了V-NAND技术的重要性和潜力，小编有这方面的了解。他们表示，V-NAND技术不仅延续了NAND的发展历程，也成为了韩国国家创造技术和生态系统的成功典范之一。

三星存储业务持续不断地努力推动NAND技术的发展，并通过创新和突破将V-NAND技术提升到新的水平。随着V-NAND技术的进一步演进，未来我们可以期待存储容量的进一步提升和性能的提高，这将对各行业的发展和创新产生积极的影响。

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